3016嘉晶

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碳化矽指標股，衝高後震盪整理，只要大量區下影線未跌破，震盪後仍將續攻。

矽光子磊晶急漲後出現黑棒拉回，短線漲多恐震盪，建議嚴守3日均線，跌破可轉往落後補漲股。

低檔進場佈局後，兩週多時間獲利突破六成，呈現主升段強勢格局。

矽晶圓報價持續議價調漲，受惠長期AI晶片供應需求強勁與長約續簽。

化合物半導體議價能力持續提升，注重新長約與新產能，大戶鎖碼帶動股價飆升逾五成。

轉虧為盈且提早通過光通訊模組材料驗證，8月自結獲利暴增，處置仍維持強勢。

碳化矽切入CPO光收發模組且產能大擴，以大量長下影線為防守點守穩續攻。

三角收斂突破型態確立，配合輔助指標翻多，走主升段強勢噴出走勢。

具備磊晶與化合物半導體優勢，6吋SiC供日商、8吋切入AI高毛利產品，波段趨勢明確看好。

股價創近期新高，切入AI受惠產業景氣回溫，起漲較慢且具備較高爆發力。

第三代半導體與MOSFET磊晶領導廠，碳化矽技術打入日商IDM及AI高毛利市場，獲利實質成長。

外資近期雖連續買超但短線漲幅已大，與均線乖離過大面臨整理，資金輪動下不宜過度追高。

符合急跌盤底缺口起攻模型，缺口未補持續噴發，強勢亮燈漲停。

股價短線已漲至高檔天價區間，位階過高切入不易，不建議過度追高。

第三代半導體題材，股價強攻漲停，發行可轉債並已站穩轉換價之上，符合CV翻倍飆股模型。

碳化矽指標股創歷史新高，兼具CPO與氮化鎵題材，放量以量滾量上攻，跳空缺口不補維持強勢。

切入台積電矽光子鍺矽磊晶片，短線連拉漲停創新高，漲幅已大不宜盲目追價。

獲利雖大幅成長但股價已高，面臨前波壓力且正乖離過大，追高風險升高。

受惠功率半導體族群轉強與市場買盤挹注，股價逆勢走強並創下歷史新高。

矽光子通過認證且訂單與產能大增，三角收斂突破起漲，大戶鎖碼強勢噴出。

具碳化矽轉型題材，出量突破創波段新高，為同族群先跑的領頭指標。

本業連續四季獲利成長，股價突破前高走勢強勁，惟爆出佔資本額近四分之一大量，短線追高有風險，宜待回測頸線支撐佈局。

受轉型題材激勵，股價連番上漲創波段新高，為碳化矽族群的強勢領頭指標。

矽光子材料題材強勢領漲突破前高，但短線漲幅大且面臨列入處置分盤交易風險。

國泰給予強力買進評等，目標價190元。站上可轉債轉換價105元轉強上攻，具翻倍挑戰空間。

具備矽光子卡位題材獲外資大買，但短線急漲與5日線正乖離過大，下週恐衝高震盪休息，待回測頸線不破再看。

與5日線正乖離過大，短線再衝易引發賣壓不宜過度追價，待拉回整理且外資籌碼未鬆動再留意。

三角收斂突破且均線糾結向上，受惠功率元件漲價題材，整理過後股價強勢噴出。

成功轉型切入矽光子領域，出量強攻漲停，客群轉型帶動獲利展望轉佳。

轉型切入矽光子並聚焦12吋晶圓市場，搭上轉型題材，下週有望跟隨中小型股展開表現。

股價站均線之上且有放量，具備題材並沾到強勢股周邊慢慢動起來。

具備CPO與磊晶題材且有實質獲利，中線偏多，但節前逼近前高容易震盪，不建議追高。

股價突破可轉債轉換價105元後正式發動攻勢，連續拉出強勁漲停行情。

AI電源供應帶動SiC MOSFET需求，最壞情況已過帶量跳空漲停，但短線乖離過大不宜過度追高。

符合急跌盤底後跳空起攻的攻擊型態，技術面轉折明確，連續強攻漲停。

整理突破帶量噴出，均線架構轉佳，外資與投信剛開始買超，具矽光子題材。

第三代半導體與功率元件代表，受漲價與作夢概念帶動，價位具親民優勢獲內資點火漲停。

中低價功率元件代表之一，內資在節前進場點火暖身，後市具作夢空間。

向上跳空缺口突破季線與頸線，底部型態確立具等距測幅空間，惟短線乖離大不宜追高。

積極布局矽光子光偵測器磊晶量產，出量打底完成，量縮整理後有望再上攻。

具備第三代半導體及矽磊晶技術，上半年EPS達1元大幅優於去年，股價整理後開始拉升表態。

盤中雖創高但尾盤主力動能驟降至94%，短線有拉高出貨跡象，須防主力持續調節。

逆勢過高且主力動能持續向上，具備能源元件題材、低基期與低本益比優勢。

矽光子磊晶商用放量取代磷化銦，氮化鎵打入AI與太空供應鏈，紅三兵突破季線長線看好。

身為碳化矽SiC磊晶上游，受惠下游功率元件漲價題材帶動，放量突破整理箱型展開新攻勢。

2026與2027年預估有一倍成長，基期低，為有機會的電源股。

具備矽晶圓漲價題材。

伺服器內部電力轉換需求大，高伏特直流傳輸勢在必行，可於低基期等待。

全球唯一擁有矽磊晶與化合物半導體廠商，去年下半年轉虧為盈，換手強於大盤。

全球唯一擁有矽磊晶與化合物半導體廠商，去年下半年轉虧為盈，換手強於大盤。

股價走勢相對弱勢，且已經跌破季線支撐。