6770力積電

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屬假外資當沖熱門股，外資大買後隔日容易倒貨調節，操作需謹慎防範。

半導體景氣復甦帶動低基期輪動，買盤進駐強攻漲停，展現轉單與補漲力道。

技術型態面臨頸線反壓且尚未突破，下方雖有支撐但短線不宜過度追高。

籌碼面受外資短線隔日沖主導，目前非帶領大盤的主流，短線操作待震盪拉回或美光財報明朗後再評估。

代工價格調漲預期帶動10月營收恢復強勁成長，兼具矽電容產品題材，股價位於各期均線之上表現強勢。

攜手美光發展HBM與DRAM製程，投信近期小量買進，橫盤整理後向上攻擊機率大。

切入英特爾先進封裝與矽電容，Q2產能滿載且毛利回升，默默突破長期下降趨勢線。

前期漲幅滿足，過節前法人站在賣方進行小幅調節。

沿半年線橫向區間震盪，上方套牢賣壓相對沉重，目前成交量不足，屬緩步整理格局。

外資長線持續買超，短線尚未見高點，橫盤整理時間越長未來突破爆發力越大，可依支撐壓力操作。

大盤高檔震盪且K線型態偏弱，操作應嚴守支撐買與壓力賣原則，回測短線支撐區再行進場。

成熟製程傳漲價四成，利基型DRAM報價回升且有電源管理晶片訂單，站穩季線整理後不弱。

外資短線賣超不改趨勢，下半年傳出擬調漲晶圓代工價格四成，股價整理後有望挑戰前高。

記憶體族群基期低，連假前逢低買進放著，避免節後國際盤上漲追高。

英特爾EMIB架構需採用嵌入式矽電容，題材度高且具投資價值，獲外資連續買超及投信加碼。

外資買超大型電子股名單，反映外資籌碼轉趨積極進攻。

半年線雖有守，但上方累積大量套牢賣壓，橫盤震盪後仍需補量方能化解套牢。

目前僅屬跟隨族群連動，攻擊力道相對有限，在站穩月季線反壓之前維持中性看待。

雖獲外資買超，但DRAM族群操作首選仍以南亞科與華邦電為主。

外資大賣逾7萬張，需觀察未來三天長期移動平均線與低點是否守住，若高低點持續走低則須觀望等待翻多轉折訊號。

股價多方缺口仍守穩，但走勢多屬被動跟隨族群，需待南亞科等指標股轉強方有上攻機會。

股價走勢受南亞科與華邦電牽動，跌幅雖大但多方缺口仍守穩，整體維持盤整格局。

低檔震盪且上方累積套牢賣壓，量縮格局下需等待後續補量才有反攻機會。

容易成為隔日沖外資操作的標的。

未來包含與美光的合作將持續發酵，帶動後市營運發展。

股價在季線橫向整理且外資買盤不連續，百元目標遙遠，不宜貿然追價。

股價呈V型反轉後的區間震盪，依支撐壓力操作。

外資籌碼持續買超青睞，且KD黃金交叉、DMI指標翻紅，多方攻擊架構逐步成形。

受惠美方扶植英特爾政策與3D IC異質整合題材，跟隨成熟製程族群走強。

外資買超，跟隨美股費半指數走勢，DRAM族群受惠。

遭外資大賣且偏向投機性質，建議讓外資調節。

記憶體市況回溫，技術面月線與季線黃金交叉，低檔支撐轉強。

外資大賣且遇前高壓力出現黑K，接手買盤不積極，上檔賣壓沉重。

外資大買具矽電容題材，但需小心外資隔日沖賣壓。

缺乏重要題材與人物加持，走勢無聊，不具備吸引力。

輝達點名記憶體害毛利率下降，接下來可能被壓價，建議稍微減碼。

秒填息後回檔整理，具記憶體漲價題材且擁多元業務元素，中長期可安心持續操作。

線型不如華邦電漂亮，僅能視為跟隨指標股補漲的標的。

高層人事變動引發感傷，目前缺乏進場意願。

走勢略強於旺宏但上方壓力仍大，目前回到區間震盪輪動，不宜過度追高。

外資開始回補，但尚未過前高帶大量，目前僅視為回補尚未轉強。

外資先前一路賣超，今日開始回補，但尚未確認正式轉強。

偏向投機性質，外資賣超，若挑選記憶體族群暫時不會挑選他。

遭外資連續賣超，股價不易上漲，需待修正整理。

具備下一代WoW堆疊優勢，上半年獲利有條件維持股價區間運行，短線遇壓。

股價持續下殺且缺乏市場題材與故事性，不建議投資人介入。

新台幣由升轉貶，外資出脫短線獲利標的。

外資近期積極買超，看好景氣落底翻揚。

股價未跌深且距離前高較近，反彈空間相對有限，不如華邦電。

近期股價表現相對強勢，外資逢高稍微進行調節賣出。

外資連續買超，股價較便宜且前面沒漲，具備補漲空間。

股價帶量衝高，下週有機會持續往上發動攻勢。

交易量大主要是大戶當沖，相較之下更看好華邦電。

趨勢看多，除息前具備留意價值，建議逢黑再買。

站上季線但遇缺口短壓易震盪，短線有賺可先跑，中線可續抱，等回測不宜追。

若記憶體指標股持續上攻，將帶動比價效應而跟進上漲。

技術線型不錯，但失去靈魂人物黃崇仁，未來發展充滿不確定性，建議選比較穩的。