2337旺宏

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股價跌破季線，上方壓力較重，屬於較弱的記憶體模組廠。

雖為記憶體中相對強勢，但也呈現盤整，族群最好賺的波段已過。

記憶體低本益比，重塑評價。

具備五成到一倍上漲空間，未來設備進場是機會，高點必過。

記憶體顆粒廠近期有雜音，股價表現較弱，風險較大不宜貿然進場。

5月營收年增175%，基本面佳，無懼市場利空。

股價跌破月線與季線，受消費性需求減少影響大，上升趨勢已破壞。

籌碼亂掉，太多人想吃豆腐需沉澱很久，根本不看。

主力產品為NOR Flash，受記憶體報價觸頂利空影響較大。

全球第一大具定價權，價值持續上漲，拉回季線具強大支撐。

記憶體族群抗跌後有望抗漲，前波高點有機會突破。

股價表現弱勢，從頭跌到尾，走勢怪異且快不行了，建議避開。

記憶體雜音較多，外資賣超，追價需留意。

股價維持高過高、低不破低的強勢整理，出現仙人指路型態，具特定買盤。

走勢較崎嶇且跌破月線，目前偏向震盪整理格局。

記憶體缺貨帶動報價上漲，獲外資點名並大幅調高目標價，後市具想像空間。

記憶體短缺帶動報價上漲，獲外資大幅調高目標價，預期後續仍有價差空間。

產品為EMC具利多，未受外資干擾，明年獲利預估佳，股價不貴。

外資買超且抗跌，受惠記憶體族群反彈，可留意DDR4報價。

近期遭法人調節走勢較弱，但落入區間下緣具支撐。

記憶體族群中股價基期相對低，型態守城漂亮，後續整體空間與漲幅可期。

NOR Flash第三季報價上漲，基本面強勁，股價相對抗跌。

NOR Flash第三季報價持續上漲，股價抗跌且盤中一度快拉漲停，表現強勢。

走勢較弱，過高後跌回區間，缺乏大波段行情動能。

股價回測月線與季線糾結處，下檔風險低，且外資五、六月持續偏多操作。

傳聞建廠需時一年半至兩年，短期股價重挫，需時間發酵。

傳聞建NAND廠需時一年半到兩年，短期難見成效，建議避開。

將受美光財報展望影響，若展望優於預期可望受激勵，但需留意開高走低風險。

記憶體上游製造廠，大盤大跌時股價抗跌，表現相對穩健。

記憶體漲多修正，但AI帶動儲存需求，漲價趨勢不變。

走勢較弱，紅K被黑K吃掉且跌破頸線，需看南亞科與華邦電能否回穩帶動。

走勢較弱，紅K被吃掉且跌破頸線，僅為被動帶動。

平行整理結束，突破壓力區轉為支撐，後市具噴發力道。

盤整已久，有望跟隨記憶體指標股展開落後補漲行情。

受惠記憶體族群整體轉強帶動，股價隨之向上。

股價創新高，今年以來漲幅達370%，多頭強勁。

外資買進且走勢強勁，Flash題材發酵，可跟隨外資腳步佈局。

價格較便宜，做NOR Flash，需看車用及遊戲機復甦狀況。

出現漲停架構，帶有市場熱度，為重要指標。

處於大箱型整理，若跳空突破高點，有機會完成兩個多月的震盪打底。

EMMC題材不變，漲幅落後華邦電與南亞科，有機會補量上攻。

記憶體族群表現強於美股，長線無虞，未爆量不漲前偏多看待。

股價衝高後回落，面臨前高壓力區且外資出脫，走勢轉弱。

高檔橫盤震盪整理，站穩所有移動平均線，不會開高震盪走低。

股價處於整理區間下緣，位階較低，相較力積電操作起來更為安穩。

報價逐季調漲，預期7月營收大幅成長，即將出關有機會衝前高。

記憶體族群表現較弱，股價隨勢回檔，建議觀望。

可做矽電容，高獲利低本益比。

線型偏弱且上檔壓力大，目前遭分盤交易且缺乏量能，不建議作為首選。

雖然有業績，但技術線型較弱且上方壓力大，加上分盤交易無量，非攻擊焦點。

走勢相對弱勢，打到季線但馬上衝上去可能性不大，技術面有疑慮。

產品線穩健向上，獲利具想像空間且本益比偏低，依循上升趨勢線與區間操作相對安全。

股價乖離率不大，已接近或跌破月線支撐，若記憶體轉好可逢低佈局。

記憶體族群都不用怕，可以繼續持有。

與IBM合作開發相變化記憶體，因處置回檔，來到下通道是很好買點。